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太阳能电(sh)池的发展q程?qing)光电(sh){换效?/span>

2025-03-14

  太阳甉|是制U太阌利用的核心技术,?954q发明太阳电(sh)池至今,全球U学工作者进行了坚持不懈的努力,目前已经q入W三代发展期?/p>

  W一代的太阳甉|采用晶圆技术,材料以硅元素ZQ其技术已相当成熟Q目前占M量的98Q以上,其元件的使用寿命已超q?5q_(d)其最高效率ؓ(f)21.5%Q由国 Sun Power公司生。而目前主市Z的太阳电(sh)池ؓ(f)h较低的多晶硅太阳甉|Q其效率?5Q左叟?III - V 族材料可以制造更高效率(>25%Q的太阳甉|Q但其昂늚成本已产品朝向高效率聚光电(sh)池发展?/p>

  W二代的太阳甉|采用薄膜技术,刉程序较圆技术变化多且制作成本低。而达C?sh)力用的只?CIS 甉|Q目前已在欧z量产,效率?3%左右。其他较廉h(hun)但中{效率的太阳甉|有微ӞU?%)、非晶硅Q约10%)?II - VI 族(U?0%Q已q泛应用于消费电(sh)子品,如手表与计算ZQ还有多U可挠的产品面世?/p>

  W三代太阳电(sh)池包含所有正在创新、启蒙中的新型太阌光电(sh)技术。目 前分Z大类Q第一cL极高效率(>31%)的新型太阳电(sh)池,主要?nbsp; GaSb 、GaInSb  {热能{换晶体加在GaAs  光电(sh)池上Q可使效率达?0%?在单层太阳电(sh)池方面,其理论模拟钛元素之量子点在GaP ?GaAs 中有?辑ֈ63.2%的高效率Q但有待实验的检验。第二类是廉L(fng)可制作成大面  U的有机太阳甉|Q以染料敏化薄膜太阳甉|Z表,含液态电(sh)解液Q此c?nbsp; 甉|实验室达?1%的效率,商品化效率达?%,q保?5q的寿命?如开发成功商品化效率辑ֈ10%,有望使成本降低至25元/m̔,  ???nbsp; ?qing)化要求?/p>

各型太阳甉|的光?sh){换效率见?.1,各类太阳甉|的比较见?.2?/p>

      ?/span>2.1  各型太阳甉|的光?sh){换效?/span>

甉|U类

半导体材?/span>

模组转换效率/%

 

?/span>

l晶?/span>

单晶?/span>(晶圆?/span>)

13?/span>20

多晶?/span>(晶圆型、薄膜型)

10~15

非晶?/span>

a-Si?/span>a-SiO?/span>a-SiGe

5?/span>~10

 

化合物半g

 

二元?/span>

GaAs?/span>CdTe(晶圆?/span>)

18?/span>30

CdS?/span>CdTe(薄膜?/span>)

7?/span>10

三元?/span>

CuInSe2(薄膜?/span>)

20?/span>40

染料敏化太阳甉|(DSSC)

10

有机薄膜太阳甉|

1~5



          ?/span>2 . 2各类太阳甉|的比?/span>

?/span>  ?/span>

?/span>  ?/span>

~?/span>  ?/span>

 

晶甉|

原料来源丰富Q开发年限长Q技术成?/span> W一代中以单晶硅效率最高,多晶?/span>  ơ之Q用寿命长

 

工艺技术复杂,材料对光的吸收能 力差Q电(sh)能再生水q低Q对基板要求?/span>

薄?/span>

成本较低Q可以用Ҏ(gu)基板发展成熟, 可大规模生

效率较低Q稳定性差

铜铟镓硒薄膜(CIS/CIGS)

原物料稳定性最好,可以用弹性基?/span>

成本相对较高Q制造工艺未标准化, 铟与镓储量有?/span>

镉碲薄膜(CdTe)

W二代中效率较高Q可以用Ҏ(gu)基板, 发展成熟Q可大规模生?/span>

W二代中成本较高模组与基材占?/span> 成本五成Q镉毒性高Q碲储量有限

 

染料敏化(DSSC)

 

W三代中成本最低,材料使用最,?/span> 易制造大面积元gQ用途广?/span>

技术不够成熟,不易商业化,装q?/span> E较为复杂,在太阛_照射和高温下  ?x)出C重劣化现象,效率最?/span>

太阳甉|?png

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