太阳甉|是制U太阌利用的核心技术,?954q发明太阳电(sh)池至今,全球U学工作者进行了坚持不懈的努力,目前已经q入W三代发展期?/p>
W一代的太阳甉|采用晶圆技术,材料以硅元素ZQ其技术已相当成熟Q目前占M量的98Q以上,其元件的使用寿命已超q?5q_(d)其最高效率ؓ(f)21.5%Q由国 Sun Power公司生。而目前主市Z的太阳电(sh)池ؓ(f)h较低的多晶硅太阳甉|Q其效率?5Q左叟?III - V 族材料可以制造更高效率(>25%Q的太阳甉|Q但其昂늚成本已产品朝向高效率聚光电(sh)池发展?/p>
W二代的太阳甉|采用薄膜技术,刉程序较圆技术变化多且制作成本低。而达C?sh)力用的只?CIS 甉|Q目前已在欧z量产,效率?3%左右。其他较廉h(hun)但中{效率的太阳甉|有微ӞU?%)、非晶硅Q约10%)?II - VI 族(U?0%Q已q泛应用于消费电(sh)子品,如手表与计算ZQ还有多U可挠的产品面世?/p>
W三代太阳电(sh)池包含所有正在创新、启蒙中的新型太阌光电(sh)技术。目 前分Z大类Q第一cL极高效率(>31%)的新型太阳电(sh)池,主要?nbsp; GaSb 、GaInSb {热能{换晶体加在GaAs 光电(sh)池上Q可使效率达?0%?在单层太阳电(sh)池方面,其理论模拟钛元素之量子点在GaP ?GaAs 中有?辑ֈ63.2%的高效率Q但有待实验的检验。第二类是廉L(fng)可制作成大面 U的有机太阳甉|Q以染料敏化薄膜太阳甉|Z表,含液态电(sh)解液Q此c?nbsp; 甉|实验室达?1%的效率,商品化效率达?%,q保?5q的寿命?如开发成功商品化效率辑ֈ10%,有望使成本降低至25元/m̔, ???nbsp; ?qing)化要求?/p>
各型太阳甉|的光?sh){换效率见?.1,各类太阳甉|的比较见?.2?/p>
?/span>2.1 各型太阳甉|的光?sh){换效?/span> |
甉|U类 | 半导体材?/span> | 模组转换效率/% |
?/span> | l晶?/span> | 单晶?/span>(晶圆?/span>) | 13?/span>20 |
多晶?/span>(晶圆型、薄膜型) | 10~15 |
非晶?/span> | a-Si?/span>a-SiO?/span>a-SiGe | 5?/span>~10 |
化合物半g | 二元?/span> | GaAs?/span>CdTe(晶圆?/span>) | 18?/span>30 |
CdS?/span>CdTe(薄膜?/span>) | 7?/span>10 |
三元?/span> | CuInSe2(薄膜?/span>) | 20?/span>40 |
染料敏化太阳甉|(DSSC) | 10 |
有机薄膜太阳甉| | 1~5 |
?/span>2 . 2各类太阳甉|的比?/span> |
?/span> ?/span> | ?/span> ?/span> | ~?/span> ?/span> |
晶甉| | 原料来源丰富Q开发年限长Q技术成?/span> W一代中以单晶硅效率最高,多晶?/span> ơ之Q用寿命长 | 工艺技术复杂,材料对光的吸收能 力差Q电(sh)能再生水q低Q对基板要求?/span> |
薄?/span> | 成本较低Q可以用Ҏ(gu)基板发展成熟, 可大规模生 | 效率较低Q稳定性差 |
铜铟镓硒薄膜(CIS/CIGS) | 原物料稳定性最好,可以用弹性基?/span> | 成本相对较高Q制造工艺未标准化, 铟与镓储量有?/span> |
镉碲薄膜(CdTe) | W二代中效率较高Q可以用Ҏ(gu)基板, 发展成熟Q可大规模生?/span> | W二代中成本较高模组与基材占?/span> 成本五成Q镉毒性高Q碲储量有限 |
染料敏化(DSSC) | W三代中成本最低,材料使用最,?/span> 易制造大面积元gQ用途广?/span> | 技术不够成熟,不易商业化,装q?/span> E较为复杂,在太阛_照射和高温下 ?x)出C重劣化现象,效率最?/span> |
